IT之家 11 月 1 日音信,字据 DigiTimes 报谈,Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 涌现 比特派官网,bitpie是哪个国家的,三星行将推出 SF1.4(1.4 nm)工艺中,纳米片(nanosheets)的数目从 3 个增多到 4 个,有望较着改善性能和功耗。
三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的荒芜地位,在推出基于 GAA 的 SF3E 之后,筹画 2027 年上线 SF1.4(1.4nm)工艺,通过增多纳米片数目进一步改善工艺。
每个晶体管增多纳米片数目,不错增强驱动电流 比特派官网,bitpie是哪个国家的,从而教学性能,更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管,从而增强其开关才能和运转速率。
此外,更多的纳米片不错更好地规则电流,这有助于减少走电流,从而裁减功耗。此外,校正的电流规则还意味着晶体管产生的热量更少,从而教学了功率效果。
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IT之家此前报谈,三星还筹画在 1.4nm 工艺中采纳背部供电(BSPDN)本领,旨在更好地挖掘晶圆后头空间的后劲,但于今仍未在巨匠范围内施行。
固然当今半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为本领节点进行系统定名,但毫无疑问当今的工艺本领亦然数字越小越先进。
跟着半导体工艺微缩路子不休地上前发展,集成电路内电路与电路间的距离也不休缩窄,从而对互相产生侵犯,而 BSPDN 本领则不错克服这一放胆,这是因为咱们不错诓骗晶圆后头来构建供电路子,以分隔电路和电源空间。
联系阅读:]article_adlist-->《三星筹画 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电本领》
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